[发明专利]基于负差分电阻(NDR)的存储器的强化读写方法无效
| 申请号： | 03820152.6 | 申请日： | 2003-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1679113A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | T·J·金 | 申请（专利权）人： | 前进应用科学股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 揭示了一种对存储器诸如使用负差分电阻(NDR)元件的STAM作强化读写的方法，这是通过选择性控制存储单元中有源元件的偏置实现的。例如在写操作中，将存储单元置于一中间态而增大写速。在一基于NDR的实施例中，实现方法是减低对NDR FET的偏置信号，以在写操作中弱化该NDR元件(因而禁止NDR作用)。反之，在读操作中，增高偏置信号以强化峰值电流(和NDR作用)，从而对位线提供附加电流驱动。使用这类方法的诸实施例均实现了优异的峰谷电流比(PVR)、读/写速度等。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 负差分 电阻 ndr 存储器 强化 读写 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元的操作方法，所述存储单元包括一负差分电阻(NDR)功能元件，其特征在于，包括以下步骤：(a)在存储单元存贮数据值的第一操作周期内，向NDR功能元件加一偏置信号，使NDR功能元件以NDR特性操作；其中调节所述NDR特性，以利于在第一存贮操作中将所述数据值存入存储单元；(b)在第二操作周期内调节所述偏置信号，以在与存储单元关联的第二操作之前和/或期间禁止所述NDR特性。
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