[发明专利]发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 03820182.8 | 申请日： | 2003-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1679175A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 楚树成;菅博文 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 发光元件(10)具有：设在Si基板(1)的表面上的β－FeSi2膜(2)，设在Si基板(1)的背面侧的第一电极(3)，和设在β－FeSi2膜(2)的表面侧的第二电极(4)。β－FeSi2膜(2)具有与Si基板(1)不同的导电类型。在Si基板(1)与β－FeSi2膜(2)之间形成pn结。β－FeSi2膜(2)作为发光层发挥功能。其发光特性不受基板的种类或纯度的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光元件，其特征在于，具有：Si基板；与所述Si基板接触，具有与所述Si基板的导电类型不同的导电类型的β-FeSi2膜；和设在所述Si基板的两侧，夹着所述Si基板和所述β-FeSi2膜的第一和第二电极。
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