[发明专利]质子导电膜及其应用无效
| 申请号： | 03820238.7 | 申请日： | 2003-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1697852A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 戈登·卡兰丹;迈克尔·J·桑索内;奥默尔·尤恩萨尔;约阿基姆·基弗 | 申请（专利权）人： | 佩密斯股份有限公司 |
| 主分类号： | C08J5/00 | 分类号： | C08J5/00;C08J5/22;H01M8/10;H01M4/00;C08G73/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 郭国清;樊卫民 |
| 地址： | 德国法*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及含有磺酸基的芳香聚吡咯基新型质子导电聚合物膜，其中磺酸基共价结合到聚合物的芳香环上，由于其优异的化学和热性质而可用于许多的应用场合。这样的材料特别用于制备PEM燃料电池的聚合物电解质膜(PEM)。 | ||
| 搜索关键词： | 质子 导电 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种磺化聚吡咯基质子导电聚合物膜，由包括以下步骤的方法得到：A)将一种或多种芳香四氨基化合物与一种或多种每个羧酸单体含有至少两个酸基的芳香羧酸或其酯混合，或将一种或多种芳香和/或杂芳香二氨基羧酸混入多磷酸/磺化剂混合物中形成溶液和/或分散液，B)将步骤A中的混合物涂覆一层至载体或电极上，C)将步骤B描述的所得片状结构/层在惰性气体及在高达350℃，优选高至280℃下加热以制备聚吡咯聚合物，D)对步骤C所得膜进行处理。
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