[发明专利]具有垂直写线的磁阻式随机存储器无效
| 申请号： | 03820242.5 | 申请日： | 2003-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN1679114A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 克雷格·S·拉格 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;谢丽娜 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 形成一种磁阻式随机存储器(MRAM)设备(10)，其具有在凹坑中的固定磁层(28)、自由磁层(32)以及在它们之间的第一电介质层(30)。还在该凹坑中形成金属栓(36)和可选的第二电介质层(34)。该金属栓(36)充当写通路。在该MRAM单元中的字线是用来写和读该MRAM设备的晶体管的栅电极。要写该设备，电流在大致垂直的方向上传播，因此仅影响一个MRAM单元，而不影响邻近的单元。从而改进了数据存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 磁阻 随机 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种存储器单元(10)，其包括：固定磁结构(28)；自由磁结构(32)；位于所述固定磁结构和自由磁结构之间的电介质结构(30)，其中，在所述固定磁结构和自由磁结构之间的电阻表现出存储在该存储单元中的值；写通路结构(36)，其至少一部分位于所述自由磁结构的侧面，并且它的位置是相对于所述自由磁结构确定的，以提供具有垂直分量的电流通路，来传送改变所述自由磁结构(32)的磁场方向的电流。
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