[发明专利]用于生产发射电磁辐射的半导体芯片的方法和发射电磁辐射的半导体芯片无效
| 申请号： | 03820260.3 | 申请日： | 2003-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN1679176A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | C·卡努特施;P·施陶斯;K·施特罗伊贝尔 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;张志醒 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在用于生产基于AlGaInP的发射辐射的半导体芯片的方法中，具有以下方法步骤：提供一个衬底；将一个包含发射光子的有源层的半导体层序列淀积在该衬底上；并且淀积一个透明的耦合输出层，该透明的耦合输出层包括Gax(InyAl1－y) 1－xP，其中0.8≤x并且0≤y≤1的，按照本发明规定：该衬底由锗构成，并且该透明的耦合输出层在低温度时进行淀积。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生产 发射 电磁辐射 半导体 芯片 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于生产基于AlGaInP的发射辐射的半导体芯片的方法，具有以下方法步骤：-提供一个衬底(12)；-将一个包含发射光子的有源层(22)的半导体层序列淀积在所述衬底上；以及-淀积一个透明的耦合输出层(16)，其特征在于，-所述衬底(12)主要由锗构成，并且-在直至最大为800℃的温度范围中淀积所述透明的耦合输出层(16)。
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