[发明专利]SiO2/SiC 结构中界面态的氮钝化有效
| 申请号： | 03820297.2 | 申请日： | 2003-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1679149A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | A·W·萨克斯勒;M·K·达斯 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 范赤;段晓玲 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过在基本无氧的含氮环境中使氮化的氧化物层退火处理在碳化硅层上的氧化物层。退火可在高于约900℃，例如约1100℃、约1200℃或约1300℃的温度进行。使氮化的氧化物层退火可在低于约1个大气压，例如约0.01－约1atm或特别是约0.2atm的压力下进行。氮化的氧化物层可以是在含有N2O和/或NO的环境中生长的氧化物层，在含有N2O和/或NO的环境中退火的氧化物层，或者在含有N2O和/或NO的环境中生长并退火的氧化物层。 | ||
| 搜索关键词： | sio sub sic 结构 界面 钝化 | ||
【主权项】：
1.一种处理在碳化硅层上的氮化的氧化物层的方法，该方法包括：在基本无氧的含氮环境中使氮化的氧化物层退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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