[发明专利]用于小线条印刷的光刻方法

摘要

借助于显著地延长曝光后烘焙步骤和降低曝光剂量，能够显著地减小利用光刻工艺在衬底层中构成的器件特征图形的最小特征宽度(CD)，而不降低工艺宽容度(DOF)。利用同样的措施，能够将等焦CD调整到设计CD，以便增大对于任意CD的工艺宽容度。

主权项

1.一种在器件衬底层中形成亚微米宽度的特征图形的方法，此方法包括下列步骤：在衬底上形成正性抗蚀剂和负性抗蚀剂类型之一的抗蚀剂层；提供掩模，此掩模具有对应于待要形成在衬底层中的特征图形的掩模图形；利用提供曝光剂量的投影束，经由掩模图形照射抗蚀剂层，从而在各个成像的特征周围的抗蚀剂层中产生酸浓度分布；在曝光后的烘焙(PEB)步骤中，对被照射的抗蚀剂层进行加热，以使得从最高照射强度区域开始，正性抗蚀剂层的材料变成在显影液中可溶解，而负性抗蚀剂层的材料变成在显影液中不可溶解；在显影液中对抗蚀剂层进行显影，以使得抗蚀剂材料从溶解度高于阈值数值的抗蚀剂层区域被清除，从而得到抗蚀剂分布图形；从被抗蚀剂分布图形描绘的衬底层区域清除材料或将材料添加到此区域，以便在衬底层中形成所需的特征图形，其特征在于，PEB步骤的时间长度和曝光剂量适合于待要形成的特征的设计宽度。