[发明专利]通过大气辉光放电产生屏蔽涂层无效
| 申请号： | 03820456.8 | 申请日： | 2003-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN1679142A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 马克尔·G·米哈埃尔;安盖洛·扬里齐斯;理查德·E·埃尔万格尔 | 申请（专利权）人： | 亚利桑那西格玛实验室公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨青;樊卫民 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在处理空间(58)中通过常压扩散等离子气体产生等离子体以及将其用于分别用绝缘材料制备的两个金属电极(54，56)形成的电场，蒸气前体(52)与等离子体混合，以及通过在等离子体磁场中常压下将汽化物质汽相沉积涂层在基质材料(14)上。应用汽化的硅－材料、氟－材料、氯－材料以及有机金属复合物材料使得制备具有改良特性的涂层基质成为可能，所述的改良特性为水分－屏蔽，氧－屏蔽，硬度，耐刮擦－和耐磨性，耐化学性，低－摩擦，疏水性和/或或疏油性，亲水性，杀生物剂和/或抗菌剂，以及耗散静电/导电的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 大气 辉光 放电 产生 屏蔽 涂层 | ||
【主权项】：
1.一种在基本大气压下通过汽相沉积过程以及同时进行辉光放电等离子体处理制备涂层基质的方法，包括下列步骤：提供由绝缘材料分开的第一电极和第二电极并面向作用空间：施加跨越电极的电压；混合汽化前体与等离子气体；在基本大气压下将汽化的前体和等离子气体扩散到作用空间中；以及将汽化前体沉积在所述基质上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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