[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 03820517.3 | 申请日： | 2003-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN1679151A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 山口正臣 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供可形成Hf1－xAlx(0＜x＜0.3＝氧化膜的半导体装置的制造方法，该氧化膜具有作为栅绝缘膜所期望的特性。所述半导体装置的制造方法包括如下步骤：(a)在反应室内加热硅基板的步骤；和(b)向上述硅基板的表面供给含有原料气、氮化气和促氮化气的成膜气体，从而以热化学气相沉积在上述加热了的硅基板上堆积相对介电常数比氧化硅大的Hf1－xAlxO：N(0.1＜x＜0.3)膜的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、半导体装置的制造方法，其包括如下步骤：(a)在反应室内加热硅基板的步骤；和(b)向所述硅基板的表面供给含有原料气、氮化气和促氮化气的成膜气体，从而在所述加热了的硅基板上以热化学气相沉积堆积相对介电常数比氧化硅大的绝缘膜的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
