[发明专利]用于磁性器件的非晶形合金有效
| 申请号： | 03820541.6 | 申请日： | 2003-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1679122A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 约翰·M·斯劳特;雷纽·W·戴夫;斯里尼瓦斯·V·皮耶塔姆巴兰 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01F10/32 | 分类号： | H01F10/32;G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开一种适合于供磁电子学器件使用的钴铁基(CoFe基)磁性合金的非晶形层。在本发明的最优选实施方案中，至少一种非晶形层在MTJ堆中提供，以增加MTJ堆中各个层的平滑度，同时也增强作为结果产生的器件的磁性性能。另外，本发明的合金也可用于包覆应用，以提供磁电子学器件中信号线的电通量容器，并作为用于制造写入磁头的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 磁性 器件 晶形 合金 | ||
【主权项】：
1.一种磁性遂道结，包括：第一铁磁性层；在所述第一铁磁性层上形成的分隔层；在所述分隔层上形成的第二铁磁性层；其中所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层的至少一个是非晶形(Co100-XFeX)100-YDY合金，包括按原子百分数处于大约10.5％-25％范围的X；并且其中D包括硼(B)、钽(Ta)、铪(Hf)、硼-碳(B-C)、钽-碳(Ta-C)，以及铪-碳(Hf-C)中的至少一种。
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