[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 03820556.4 | 申请日： | 2003-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1679236A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 伊藤邦洋 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，当把具有第1电源电压(VDD1)的振幅的输入信号(IN)输入到以比第1电源电压高的第2电源电压(VDD2)而动作的PMOS晶体管(PM51)的栅极端子时，在PMOS晶体管(PM1)至(PM4)进行电平转换。PMOS晶体管(PM1、PM3)以及(PM2、PM4)的源极端子与第1电源电压和第2电源电压连接，PMOS晶体管(PM4)的栅极端子与PMOS晶体管(PM1、PM2)的漏极端子连接。PMOS晶体管(PM2)的栅极端子与PMOS晶体管(PM3、PM4)的漏极端子连接。输入信号(IN)的反转信号和输入信号(IN)被输入到PMOS晶体管(PM1)和(PM2)的栅极端子。输入信号(IN)的基准电压(VSS)和第1电源电压(VDD1)之间的振幅被电平转换成第1和第2电源电压间的振幅，然后从PMOS晶体管(PM1、PM2)输出，可对PMOS晶体管(PM51)进行导通控制。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有：第1电路组，作为电源在基准电压和第1电源电压之间动作；以及第2电路组，作为电源在基准电压和具有比上述第1电源电压高的电压电平的第2电源电压之间动作，其特征在于，包括：第1导电型的电压控制型高侧元件，在上述第2电路组的输入级进行上述第2电源电压的输出控制；以及电平转换电路，是从上述第1电路组到上述第2电路组的接口，作为电源在上述第1电源电压和上述第2电源电压之间动作，对上述电压控制型高侧元件进行导通控制；上述电平转换电路具有：第1导电型的电压控制型第1元件，配置在上述电压控制型高侧元件与上述第1电源电压之间，在使上述电压控制型高侧元件导通时，供给上述第1电源电压；以及第1导电型的电压控制型第2元件，配置在上述电压控制型高侧元件和上述第2电源电压之间，在使上述电压控制型高侧元件非导通时，供给上述第2电源电压。
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