[发明专利]溅射沉积中硒化银膜化学计量比和形态控制无效
| 申请号： | 03820606.4 | 申请日： | 2003-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1871662A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 李久滔;K·哈姆普顿;A·麦克特尔 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;C23C14/00;C23C14/06;C23C14/34;C23C14/54;C30B23/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 范赤;王景朝 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种溅射沉积硒化银并控制溅射沉积硒化银膜的化学计量比、结节缺陷形成和晶体结构的方法。该方法包括在约0.3－约10mTorr的压力下，使用溅射沉积方法沉积硒化银。根据本发明的一个方面，优选在约2－约3mTorr的压力下使用RF溅射沉积方法。根据本发明的另一个方面，优选在约4－约5mTorr的压力下使用脉冲DC溅射沉积方法。根据本发明的另一个方面，可以在约10mTorr的压力和小于约250W的溅射功率下溅射沉积含α－和β－硒化银的硒化银膜。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 沉积 中硒化银膜 化学 计量 形态 控制 | ||
【主权项】：
1.一种沉积硒化银的方法，包括：在溅射沉积室中提供硒化银溅射靶；将溅射气体引入所述室中，其中将所述溅射气体保持在约0.3-约10mTorr的压力下；和在所述靶上进行溅射工艺，从而制造沉积的硒化银膜。
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