[发明专利]等离子体处理方法及等离子体处理装置有效
| 申请号： | 03820645.5 | 申请日： | 2003-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1679148A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 进藤俊彦;冈本晋;樋口公博 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种等离子体处理方法，所述方法向真空室(1)内供给Ar气，并在该情况下，首先从高频电源(11)向载置台(2)(下部电极)供给诸如300W等的较低的高频电力，从而产生弱等离子体，并作用在半导体晶片(W)上，调整积蓄在半导体晶片内部的电荷状态。此时，为了使电荷容易移动，不在静电卡盘(4)上加载直流电压(HV)。此后，开始对静电卡盘(4)上加载直流电压，然后供给2000W等通常处理用的高频电力，进而产生强的等离子体，并进行通常的等离子体处理。因此，能够防止发生在被处理基片上生成的表面电弧，并且与目前技术相比，可以谋求提高生产性的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理方法，其特征在于，当使等离子体作用在被处理基片上来进行等离子体处理时，在进行所述等离子体处理前，将弱于在该等离子体处理中使用的等离子体的弱等离子体作用在所述被处理基片上，并将该被处理基片的电荷状态维持一定的状态，此后，进行所述等离子体处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
