[发明专利]具有异向性高介电值栅极介电构造的晶体管组件有效
| 申请号： | 03820663.3 | 申请日： | 2003-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1692474A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | K·维乔雷克;C·雷德霍斯 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种场效应晶体管(300)包括包含非等向性介电物的栅极绝缘层(305)。该方向经由选择使得平行于该栅极绝缘层的第一介电常数为实质上小于垂直于该栅极绝缘层的第二介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 向性 高介电值 栅极 构造 晶体管 组件 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管(300)，包括形成在有源区域的上方及包含高介电值介电物(305)的栅极绝缘层，其中垂直于该栅极绝缘层的该高介电值介电物的介电常数高于平行于该栅极绝缘层的介电物的介电常数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
