[发明专利]牺牲层腐蚀用的导电防腐无效
| 申请号： | 03820692.7 | 申请日： | 2003-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN1679140A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | J·A·亨特 | 申请（专利权）人： | 硅光机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L27/14;H01L29/82;H01L29/84 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘维升;段晓玲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一种实施方案中，微型器件是通过在金属电极上沉积牺牲层(步骤304)，在牺牲层上成形可动结构(步骤306)，然后用稀有气体氟化物腐蚀牺牲层(步骤308)而制成的。由于金属电极由金属材料构成，它同时又在对牺牲层的腐蚀中起防腐的作用，因此在金属电极中不会累积显著数量电荷。这有助于稳定可动结构的驱动特性。在一种实施方案中，可动结构是光调制器中的带状物。 | ||
| 搜索关键词： | 牺牲 腐蚀 导电 防腐 | ||
【主权项】：
1.一种成形微型器件的方法，该方法包括：在第一金属电极上沉积牺牲层；在牺牲层上成形可动结构；以及用稀有气体氟化物腐蚀可动结构与第一金属电极之间的牺牲层，从而在第一金属电极和可动结构之间形成空气隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于硅光机器公司，未经硅光机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03820692.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：提高存储性能
- 下一篇：SiO2/SiC 结构中界面态的氮钝化
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
