[发明专利]薄膜电容器及其制造方法无效
| 申请号： | 03820706.0 | 申请日： | 2003-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN1679124A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 栗原和明;盐贺健司;约翰·大卫·巴尼基 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01L27/04 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫;王玉双 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种包含单晶高介电常数电介质层的薄膜电容器。该薄膜电容器具有：单晶硅基板；在单晶硅基板上外延生长的单晶中间层；在单晶中间层上外延生长的单晶下部电极；在下部电极层上外延生长的单晶高介电常数电介质层；在单晶高介电常数电介质层上方形成的上部电极层；分别与下部电极层、上部电极层的多个位置连接的多个导电体凸起。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜电容器，其特征在于具有：单晶硅基板；在上述单晶硅基板上外延生长的单晶中间层；在上述单晶中间层上外延生长的单晶下部电极；在上述下部电极层上外延生长的单晶高介电常数电介质层；在上述单晶高介电常数电介质层上方形成的上部电极层；分别与上述下部电极层、上部电极层的多个位置连接的多个导电体端子。
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