[发明专利]多级存储器的编程方法有效
| 申请号： | 03820720.6 | 申请日： | 2003-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN1679117A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | D·I·马尼亚 | 申请（专利权）人： | 爱特梅尔股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C11/34 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种对一多级存储芯片进行编程的方法(图1)。该方法包括通过逐渐增加电压(30)的多个编程脉冲(P；40－47)与多个交替核实脉冲(V；50－57)对存储芯片由其第一或最低的电压存储状态(11)至倒数第二电压存储状态(01)进行编程；而对所述存储芯片的最后或最高电压存储状态(00)的编程，则是通过具有临界电压相等于存储单元最高电压存储状态编程所需电压的一编程脉冲(60)进行。所述的编程方法不仅对所述存储单元的中间存储状态(10，01)编程提供编程所需的准确性而且加快对所述存储单元的最后存储状态(00)编程的速度，因而加快所述存储单元的整体编程速度。 | ||
| 搜索关键词： | 多级 存储器 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对多级存储器进行编程的方法，其包括以下步骤：把多个编程脉冲施加于一存储器的存储单元集上，以便把一定数量的电荷加在每一所述存储单元的浮动栅极上，所述的编程脉冲的电压逐渐地增加，以增加所述浮动栅极上的电荷，直到所述浮动栅极上的电荷相等于相应于所述存储单元的一目标存储状态的电荷；把多个核实脉冲施加于所述的存储单元集上，所述的每一核实脉冲以交替方式在施加所述的每一编程脉冲以后施加，其中所述存储单元集由一存储单元的第一子集以及一存储单元的第二子集组成，第一子集具有第一目标存储状态，该第一目标存储状态相等于所述存储单元有一最多电荷的一最高存储电压状态；而在第二子集中，每一存储单元有各自比最高存储电压状态小的第二目标存储状态的；确定已对在所述第二子集中的每一存储单元完成各自的第二目标电压存储状态编程；以及把一最大编程电压脉冲施加于所述存储单元的第一子集的每一存储单元上，其中所述最大编程电压脉冲相等于一可使所述存储单元达到第一目标存储状态的临界电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱特梅尔股份有限公司，未经爱特梅尔股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03820720.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
