[发明专利]毫微结构复合材料场致发射阴极的制造和激活方法有效
| 申请号： | 03820815.6 | 申请日： | 2003-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN1998061A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 高波 | 申请（专利权）人： | 新泰科有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/00 | 分类号： | H01J9/00;G01N27/26 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华;赵苏林 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成电子发射极的方法，包括步骤：(i)形成一种含毫微结构的材料；(ii)形成一种含毫微结构材料和一种基质材料的混合物；(iii)通过电泳淀积方法在基片至少一个表面的至少部分上淀积一层该混合物；(iv)烧结或熔化该层从而形成一种复合材料；和(v)用电化学方法蚀刻该复合材料，除去其表面上的基质材料，从而暴露含毫微结构的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 微结构 复合材料 发射 阴极 制造 激活 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成电子发射极的方法，此方法包括步骤：(i)形成一种含毫微结构的材料；(ii)形成一种包括含毫微结构材料和一种基质材料的混合物；(iii)通过电泳淀积方法在基片至少一个表面的至少部分上淀积一层该混合物；(iv)烧结或熔化该混合物层从而形成一种复合材料；和(v)电化学蚀刻该复合材料，除去其表面上的基质材料，从而暴露含毫微结构的材料。
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