[发明专利]蚀刻深度受到控制的介电膜有效
| 申请号： | 03820936.5 | 申请日： | 2003-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN1679379A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 杨瑞;N·P·克鲁特;C·G·邓恩 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/02 | 分类号： | H05K1/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用作柔性电路基底的介电膜包含一种聚合物，该聚合物选自在聚合物主链上含有羧酸酯结构单元的液晶聚合物和聚酰亚胺共聚物。所述介电膜的厚度为25－60μm，它包括至少一个厚度减少到15μm以下的变薄凹陷区，以满足介电膜用于喷墨打印头、硬盘驱动器前万向架组件和接触式传感器时的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 深度 受到 控制 介电膜 | ||
【主权项】：
1.用作柔性电路基底的介电膜。所述介电膜包含：聚合物，它选自在聚合物主链上含有羧酸酯结构单元的液晶聚合物和聚酰亚胺共聚物，所述介电膜的厚度为25-60μm，它包含至少一个所述厚度减少到25μm以下的凹陷区。
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