[发明专利]用于高能量密度的电光空间调制器无效
申请号: | 03821050.9 | 申请日: | 2003-08-26 |
公开(公告)号: | CN1678944A | 公开(公告)日: | 2005-10-05 |
发明(设计)人: | 米盖尔·穆林 | 申请(专利权)人: | 柯达保丽光印艺有限责任公司 |
主分类号: | G02F1/03 | 分类号: | G02F1/03;G02F1/01;G02F1/315 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 马浩 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供了一个成像装置,它包括:(a)一个调制器晶体(12),它包括一个第一表面(11),以及与所述第一表面(11)基本相对的一个第二表面,其中所述第一表面(11)包括一个活性区域(26);以及(b)一个加热元件(20),它被用来将所述调制器晶体(12)加热到处于一个预定温度范围内的一个温度,其中,所述加热元件(20)位于所述调制器晶体的下面,且包括一个第一表面(21),其中所述加热元件(20)第一表面(21)面向所述调制器晶体(12)第二表面,并且覆盖了所述调制器晶体第二表面的一个部分,从而让所述调制器晶体(12)的所述第一表面(11)的所述活性区域(26)具有一个均匀的温度。本发明还提供了用来在一个成像装置中加热一个调制器晶体的一种方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 高能量 密度 电光 空间 调制器 | ||
【主权项】:
1.一个成像装置,包括:(a)一个调制器晶体,它包括一个第一表面,以及与所述第一表面基本相对的一个第二表面,其中所述第一表面包括一个活性区域;以及(b)一个加热元件,它被用来将所述调制器晶体加热到处于一个预定温度范围内的一个温度,其中,所述加热元件位于所述调制器晶体的下面,且包括一个第一表面,其中所述加热元件第一表面面向所述调制器晶体第二表面,并且覆盖了所述调制器晶体第二表面的一部分,从而让所述调制器晶体的所述第一表面的所述活性区域具有一个均匀的温度。
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