[发明专利]制造自调准非易失存储单元的方法

摘要

本发明揭示一种制造自调准非易失存储单元(200)的方法，该存储单元包括一小侧壁分隔件(239)，该小侧壁分隔件设置在主浮动栅极区(212)旁边并与该主浮动栅极区电耦合。小侧壁分隔件和主浮动栅极区在衬底(204)上形成，两者形成所述非易失存储单元的浮动栅极。通过氧化物层(208，232，242)使两者与衬底电绝缘，在小侧壁分隔件和衬底之间的氧化物层的厚度较薄(260；232，242)；而在主浮动栅极区和衬底之间的氧化物层的厚度较厚(263；208)。小侧壁分隔件可做得较小；因此，薄氧化物层可同样做得较小，以便造成一小的通路让电子以隧道贯穿形式进入浮动栅极。

主权项

1.一种在半导体衬底上制造一自调准非易失存储单元的方法，其步骤包括：在所述衬底上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成一主浮动栅极区；修改与所述主浮动栅极区之一边相邻的所述第一绝缘层的第一部份，使其形成一薄绝缘区，所述薄绝缘区与所述主浮动栅极区之下的所述第一绝缘层的第二部份相比较薄；在所述薄绝缘区之上形成一小侧壁分隔件；在所述第一绝缘层及所述小侧壁分隔件之上形成第二绝缘层；移除所述第二绝缘层的一部份及所述主浮动栅极区之上的所述薄绝缘层，以暴露出所述主浮动栅极区顶部的一表面；在所述小侧壁分隔件及所述主浮动栅极区上形成薄连接层，并与之物理接触，所述薄连接层通过所述表面与所述主浮动栅极区接触，从而所述小侧壁分隔件与所述主浮动栅极区电连接，并且由此所述主浮动栅极区、所述小侧壁分隔件和所述薄连接层形成所述非易失存储单元的一浮动栅极；至少在所述浮动栅极之上形成第三绝缘层；以及在所述第二绝缘层之上及至少在所述浮动栅极之上方形成一控制栅极。