[发明专利]光泵激的发射辐射线的半导体装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 03821233.1 申请日: 2003-08-13
公开(公告)号: CN1682418A 公开(公告)日: 2005-10-12
发明(设计)人: C·卡努特施;N·林德尔;J·卢夫特;S·卢特根;W·施密德 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/04
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 苏娟;赵辛
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及配有一个半导体的一种光泵激的发射辐射线的半导体装置,该半导体具有至少一个泵激辐射线源(20)和一个表面发射的量子空腔谐振结构(11),其中泵激辐射线源(20)和量子空腔谐振结构(11)是整体集成的。泵激辐射线源(20)产生泵激辐射线(2)用于量子空腔谐振结构(11)的光泵激,其中在半导体上在泵激辐射线源(20)和量子空腔谐振结构(11)之间形成一个凹穴(10)以用于将泵激辐射线(2)输入耦合到量子空腔谐振结构(9)中。此外,本发明还涉及用于这种半导体装置的一种制造方法。
搜索关键词: 光泵激 发射 辐射 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.配有一个半导体的光泵激的发射辐射线的半导体装置,该半导体具有至少一个泵激辐射线源(20)和一个表面发射的量子空腔谐振结构(11),其中泵激辐射线源(20)和量子空腔谐振结构(11)是整体集成的,泵激辐射线源(20)产生泵激辐射线(2)以用于量子空腔谐振结构(11)的光泵激,其特征在于,在所述半导体上,在泵激辐射线源(20)和量子空腔谐振结构(11)之间形成一个凹穴(10),以用于将泵激辐射线(2)输入耦合到量子空腔谐振结构(11)中。
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