[发明专利]高密度氮化物只读存储器鳍形场效晶体管

摘要

本发明是关于一种具有多个单元的半导体存储器，其中各该存储单元包含了：一第一传导性掺杂接触区域(S/D)、一第二传导性掺杂接触区域(S/D)与排列在后者间的一信道区域，该等区域是形成于由半导体材料所制成的一网状肋形物中(FIN)且于该肋形物(FIN)的纵向方向上先后依序排列；一存储层(18)，其于该肋形物的该上侧边(10)上与一绝缘层(20)间隔排列；以及至少一栅极电极(WL1)，其藉由一第二绝缘层(22)而自该一肋形物侧面隔开，并藉由一第三绝缘层(29)而自该存储层(18)隔开，其中该栅极电极(WL1)与该信道区域电性绝缘且用于控制其电传导性。

主权项

1.一种具有多个存储单元的半导体存储器，其中各存储单元包含：-一第一传导性掺杂接触区域(S/D)、一第二传导性掺杂接触区域(S/D)与排列在后者间的一信道区域，该等区域是形成于由半导体材料所制成的一网状肋形物中(FIN)且于该肋形物(FIN)的纵向方向上先后依序排列，其中该肋形物(FIN)至少在与该肋形物(FIN)的纵向方向垂直运行的信道区域中具有一本质上为矩形的形状，且该肋形物的上侧边(10)与肋形物侧面(12，14)相对；-一存储层(18)，用于编程该存储单元且于该肋形物的该上侧边(10)上与一第一绝缘层(20)间隔排列，其中该存储层(18)以该一肋形物侧面(12)的法线方向突出于至少一该等肋形物侧面(12)，使得该肋形物侧面(12)与该肋形物之该上侧边(10)形成一注入边缘(16)以自该信道区域注入电荷载子至该存储层(18)中；以及-至少一栅极电极(WL1)，其藉由一第二绝缘层(22)而与该一肋形物侧面隔开，并藉由一第三绝缘层(29)而与该存储层(18)隔开，其中该栅极电极(WL1)与该信道区域电性绝缘且用于控制其电传导性。