[发明专利]磁致电阻效应元件及其制造方法和使用方法无效
| 申请号： | 03821294.3 | 申请日： | 2003-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN1682386A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | 西脇英谦;尾中和弘;林信和 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G01R33/09;G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种磁致电阻效应元件及其制造方法和使用方法，该磁致电阻效应元件包括：在基板(1)上的一部分上，把磁性薄膜与金属非磁性薄膜交替地层叠两层或更多层，以预定的图形形状形成的金属人工晶格膜(4)；覆盖金属人工晶格膜(4)而形成的第一保护膜(5)；以及在第一保护膜(5)上形成的第二保护膜(6)，第一保护膜(5)的残余应力实质上为零，第二保护膜(6)由具有阻止水分透过能力的材料构成。由此，能够实现即使在高温状态下也不产生磁滞、特性不劣化、耐热性和耐蚀性方面良好的磁致电阻效应元件，在汽车用等苛刻的环境中也能够适用。 | ||
| 搜索关键词： | 致电 效应 元件 及其 制造 方法 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁致电阻效应元件，其特征在于包括：基板；在该基板上的一部分上，把磁性薄膜与金属非磁性薄膜交替地层叠两层或更多层且以预定的图形形状形成的金属人工晶格膜；在上述基板上，覆盖上述金属人工晶格膜而形成的第一保护膜；以及在上述第一保护膜上形成的第二保护膜，上述第一保护膜的残余应力实质上为零，上述第二保护膜由具有阻止水分透过能力的材料构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03821294.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：游戏介质接受装置
- 下一篇：以图案表面为模板的材料及其制造方法
