[发明专利]多孔质薄膜的改质方法及被改质的多孔质薄膜及其用途

摘要

本发明为一种主要由Si－O结合构成的多孔质薄膜的改质方法，其将具有1个或1个以上的Si－X－Si结合单元(X表示O、NR、C_nH_2n或C₆H₄、R表示C_mH_2m+1或C₆H₅、m为1～6的整数、n为1或2)、和2个或2个以上的Si－A结合单元(A表示H、OH、OC_eH_2e+1或卤原子、e为1～6的整数)(同一分子内的A相同或相异均可)的有机硅化合物与该多孔质薄膜接触，并进行不使用金属催化剂的热处理。由该方法取得的多孔质薄膜，其疏水性和机械强度均相当优异，故可以使用于光机能材料、电子机能材料。尤其是非常适用于半导体用材料，可以适用作为半导体装置的层间绝缘膜。

主权项

1.多孔质薄膜的改质方法，其特征在于：将具有1个或1个以上的Si-X-Si结合单元(X表示O、NR、CnH2n或C6H4、R表示CmH2m+1或C6H5、m为1～6的整数、n为1或2)、和2个或2个以上的Si-A结合单元(A表示H、OH、OCeH2e+1或卤原子、e为1～6的整数)(同一分子内的A相同或相异均可)的有机硅化合物与主要由Si-O结合构成的多孔质薄膜接触，并进行不使用金属催化剂的热处理。