[发明专利]采用硅－锗和硅－碳合金的异质结场效应晶体管无效
| 申请号： | 03821362.1 | 申请日： | 2003-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN1689169A | 公开（公告）日： | 2005-10-26 |
| 发明（设计）人： | 道格拉斯·A·韦布;道格拉斯·沃德 | 申请（专利权）人： | 国际整流器公司 |
| 主分类号： | H01L31/0328 | 分类号： | H01L31/0328 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 葛强;方挺 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 利用硅－锗缓冲层和硅－碳沟道层结构制造的诸如异质结场效应晶体管的半导体器件。本发明提供了一种通过降低其上形成有应变硅沟道层的SiGe驰豫缓冲层之中的锗组分从而减少穿透缺陷密度的方法，该方法通过形成硅－碳合金的应变硅沟道层来实现，该碳－硅合金包含例如替代式地结合入合金的Si晶格中的、小于约1.5原子百分比的碳。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 合金 异质结 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种应变硅半导体器件装置，包括驰豫缓冲层(RBL)以及位于所述RBL上的应变硅层，其中，所述RBL包含硅-锗合金，所述应变硅层包含硅-碳合金。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际整流器公司，未经国际整流器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03821362.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
