[发明专利]发光装置及其制造方法有效
| 申请号： | 03821551.9 | 申请日： | 2003-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN1692679A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | 桑原秀明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H05B33/14 | 分类号： | H05B33/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通常，因为不能形成很窄宽度的隔堤以及由于发光器件的孔径比低，所以存在难以获得高分辨率的问题。此外，在为了沉积EL材料将具有阳极的衬底的传送到装置的期间，存在静电放电损坏或粘附灰尘的危险。考虑到上述观点，形成由无机绝缘膜形成的第一隔堤，并在其上形成绝缘膜，然后，形成通过执行回蚀刻与第一隔堤侧面接触的第二隔堤，然后，形成侧壁隔堤。为了防止静电放电损坏，形成抗静电层，传送衬底，然后去除抗静电层以形成第二隔堤。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种发光装置，包括：具有绝缘表面的衬底；形成在该衬底上的发光器件，其具有第一电极、有机化合物层和第二电极；覆盖第一电极边缘部分的第一隔堤；以及用作第一隔堤侧壁的第二隔堤。
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