[发明专利]用于双层光刻的低硅排气抗蚀剂有效
| 申请号： | 03821613.2 | 申请日： | 2003-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN1682156A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | 马莫德·M·科贾斯特;拉尼·W·况;陈光军;普什卡拉·R·瓦拉纳西;罗伯特·D·艾伦;菲利普·布罗克;弗朗西斯·霍尔;拉特纳姆·索里亚库马兰 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G03F7/38 | 分类号： | G03F7/38 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 范明娥;巫肖南 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 具有低硅排气和高分辨率光刻性能的含硅抗蚀组合物，特别可在使用193nm或更短波长成像辐射的双层或多层光刻应用中，可通过存在具有含硅的酸稳定侧基的成像聚合物而成为可能。本发明的抗蚀组合物优选还在于基本上没有含硅的酸不稳定部分。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 双层 光刻 排气 抗蚀剂 | ||
【主权项】：
1.一种含硅抗蚀组合物，所述的组合物由(a)一种酸敏感成像聚合物，和(b)一种辐射敏感的酸发生剂组成，其中所述酸敏感成像聚合物包含含硅的酸稳定侧基。
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