[发明专利]测试埋入式动态随机存取存储器电路的电路及方法无效
| 申请号： | 03821656.6 | 申请日： | 2003-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN1682314A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | T·博伊赫勒 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;梁永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了用于通过具有直接存取(DA)模式逻辑的测试控制器来测试一eDRAM的电路与方法。本发明的电路与方法可利用已知的存储器测试器来进行eDRAM的测试。本发明提供一种半导体装置，其包含一包埋式动态随机存取存储器(eDRAM)以用于储存数据，所述eDRAM包含多个存储器小区，以及一侧式控制器；其所述测试控制器包含内建自身测试(BIST)逻辑电路，以及直接存取模式逻辑电路。所述测试控制器更包含一多路复用器，其用于自所述BIST逻辑电路与所述直接存取模式逻辑电路而多路传输数据、指令与地址至所述eDRAM。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 埋入 动态 随机存取存储器 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包含：一包埋式随机存取存储器(embedded dynamic random accessmemory，eDRAM)，用于储存数据，所述eDRAM包含多个存储器小区；以及一测试控制器，用于测试所述多个存储器小区，以决定所述测试控制器是否有缺陷，所述测试控器包含内建自身测试(built-in self-test，BIST)逻辑电路，用于进行测试且用于接合至一逻辑测试器；以及直接存取模式逻辑电路，用于接合一外部存储器测试器与所述eDRAM。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因芬尼昂技术股份公司，未经因芬尼昂技术股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03821656.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电探针系统
- 下一篇：彩色阴极射线管框架/荫罩组件的支撑件
