[发明专利]有机硅氧烷共聚物膜、其制造方法以及生长装置和使用该共聚物膜的半导体装置

摘要

本发明提供适用于分离半导体装置的多层铜布线的、在与基底或者上层的无机绝缘膜连接的界面上机械强度和密合性优良并且作为整个膜的实际相对介电常数较低的绝缘性有机聚合物膜，该绝缘性有机聚合物膜是以环状硅氧烷和直链状硅氧烷为原料，通过等离子体激发使两者聚合而成的有机硅氧烷共聚物膜，其中在与无机绝缘膜连接的界面上其膜组成以直链状硅氧烷成分为主要成分，从而设置致密并且密合性优良的膜质的界面层，在膜内部，内部具有被环状硅氧烷骨架包围的空穴的环状硅氧烷成分和直链状硅氧烷成分混合存在，具有密度较低的网状结构的层，在上述的膜厚方向上具有组成变化的共聚物膜上形成有埋入铜薄膜的多层布线。

主权项

1.一种有机硅氧烷共聚物膜，其特征在于，是以多种有机硅氧烷作为结构单元的有机硅氧烷共聚物膜，作为来自所述多种有机硅氧烷的结构单元，至少包括以环状硅氧烷为骨架的第1有机硅氧烷和以直链状硅氧烷为骨架的第2有机硅氧烷，且相对于所述第1有机硅氧烷结合多个所述第2有机硅氧烷而形成交联结构。