[发明专利]腐蚀液及腐蚀方法无效
| 申请号： | 03821750.3 | 申请日： | 2003-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN1682355A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | 板野充司;金村崇;百田博史;渡边大祐 | 申请（专利权）人： | 大金工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;杨青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供腐蚀液，该腐蚀液适合应用在将表面上形成了介电常数为大于等于8的膜(High－k膜)和硅氧化膜的材料进行腐蚀处理，High－k膜的腐蚀速度为大于等于2/分，热氧化膜(THOX)和High－k膜的腐蚀速度的比为小于等于50。前述腐蚀液优选使用氟化氢(HF)和各种醚系有机溶剂混合后的物质。 | ||
| 搜索关键词： | 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种腐蚀液，介电常数为大于等于8的膜(High-k膜)的腐蚀速度为大于等于2/分，热氧化膜(THOX)和High-k膜的腐蚀速度的比([THOX的腐蚀速度]/[High-k膜的腐蚀速度])为小于等于50。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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