[发明专利]SOI基片上的N－P对接无效
| 申请号： | 03821829.1 | 申请日： | 2003-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN1682374A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | M·C·韦布;M·玻尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84;H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于将一个晶体管的源极/漏极区域与另一个晶体管的源极/漏极区域连接在一起而不使用叠加金属的SOI连接。这几个区域通过水杨苷(a salicide)毗连在一起。 | ||
| 搜索关键词： | soi 基片上 对接 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路，其特征在于，包含：基片，其具有包含有源器件的绝缘体硅(SOI)表面；至少两个为场效应晶体管的所述有源器件，每个具有成形在所述SOI表面上的相反导电率类型的源极和漏极区域，其中一个所述晶体管的其中一个所述区域直接毗连另一个晶体管的其中一个所述区域；以及水杨苷层，其从一个晶体管的所述一个区域延伸到另一个晶体管的所述一个区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03821829.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
