[发明专利]微机电系统装置内结构的机电行为的控制有效
| 申请号： | 03821986.7 | 申请日： | 2003-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN1723571A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | M·W·迈尔斯;J·贝蒂;C·徐;M·科塔里 | 申请（专利权）人： | IDC公司 |
| 主分类号： | H01L29/82 | 分类号： | H01L29/82;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一个实施例中，本发明提供一种制造微机电系统装置的方法。该方法包括制造第一层(14)，该层包括具有特征机电响应，和特征光学响应的膜，其中该特征光学响应是需要的而特征机电响应是不需要的；并通过至少降低在微机电系统装置驱动(activation)期间其上形成的电荷而修改第一层的特征机电响应。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 系统 装置 结构 机电 行为 控制 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造微机电系统装置的方法，该方法包括：制造第一层，其包括具有特征机电响应和特征光学响应的至少一种膜，其中所述特征光学响应是需要的，而所述特征机电响应是不需要的；以及通过控制在所述微机电系统装置驱动过程中所述第一层上电荷的累积而修改所述第一层的所述特征机电响应。
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