[发明专利]用于等离子体工艺系统中的光学窗口淀积屏蔽有效
申请号: | 03822080.6 | 申请日: | 2003-09-29 |
公开(公告)号: | CN1682340A | 公开(公告)日: | 2005-10-12 |
发明(设计)人: | 西本伸也;三桥康至;三枝秀仁;高濑均;中山博之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提出了用于等离子体工艺系统的改进的光学窗口淀积屏蔽,光学窗口淀积屏蔽通过一个淀积屏蔽,用于等离子体工艺系统中的工艺空间的光学入口,其中光学窗口淀积屏蔽的设计和制作对工艺空间中的工艺等离子体方便地提供了一个光学清洁入口,而基本上保持最小地腐蚀光学窗口淀积屏蔽。 | ||
搜索关键词: | 用于 等离子体 工艺 系统 中的 光学 窗口 屏蔽 | ||
【主权项】:
1.一种光学窗口淀积屏蔽,用于在等离子体工艺系统中通过一个淀积屏蔽进入工艺空间,包括:一个插塞,配置为提供光学入口通过所述淀积屏蔽,所述插栓包括一个正表面和一个周围表面;一个凸缘,耦连到所述插塞,配置为将所述光学窗口淀积屏蔽耦连到等离子体工艺系统的淀积屏蔽和腔室壁的至少一个上,所述凸缘包括第一表面、第二表面、以及边缘表面,其中一部分所述第一表面包括一个配合表面;以及一个保护阻挡层,耦连到所述光学窗口淀积屏蔽的多个暴露表面,其中多个暴露表面包括所述栓塞的所述正表面、所述栓塞的所述周围表面、以及所述凸缘除掉所述配合表面的所述第一表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03822080.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。