[发明专利]磁光存储介质无效
| 申请号： | 03822089.X | 申请日： | 2003-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN1682300A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | G·N·菲利普 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11B11/105 | 分类号： | G11B11/105 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁光存储介质(200)，特别涉及畴膨胀存储介质。该介质(200)包括用于长期存储信息的磁存储层(107)，以及磁性耦合到该层的磁性再现或读出层(111)，其中在读出期间可以产生增强的磁畴。磁性层(107、111)被非金属的或金属的、非磁性的或磁性的层(109)分隔开，并且至少一层金属层(201、203)(例如钯或铂)与磁性再现层(111)相邻放置。该金属层(201、203)优选位于磁性再现层(111)的每侧上。(多个)金属层(201、203)提供增加的热消散以及克尔效应，并由此允许磁光存储介质(200)具有增加的数据密度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 介质 | ||
【主权项】：
1、一种磁光记录介质，包括：-用于支撑其它层的衬底层；-用于存储信息的磁性存储层；-磁性再现层，用于再现磁性存储层的信息以读取该信息；-分隔层，夹在磁性存储层和磁性再现层之间；以及-至少一层与磁性再现层相邻的金属层。
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