[发明专利]通过半导体制造工艺形成的静电激励器有效
| 申请号： | 03822109.8 | 申请日： | 2003-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN1681658A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | 西村学;黑田隆彦;阿部修也;田中诚;入野田贡;桥本宪一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | B41J2/045 | 分类号： | B41J2/045;B41J2/055;B41J2/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种静电激励器，具有高可靠性并且特性几乎不变。在衬底(1)上形成有电极(12a)，在电极上形成有多个分隔部件(50a)。在分隔部件(50a)上形成有振动片(19)并且振动片通过施加到电极(12a)的电压所产生的静电力可变形，使得通过蚀刻在电极(12a)和振动片(19)之间形成的牺牲层(14)的一部分，在分隔部件(50a)之间形成空气间隙(14a)。分隔部件(50a)由蚀刻之后牺牲层(14)的剩余部分形成。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 半导体 制造 工艺 形成 静电 激励 | ||
【主权项】：
1.一种静电激励器，包括：衬底；形成在所述衬底上的电极；形成在所述电极上的多个分隔部件；形成在所述分隔部件上的振动片，所述振动片通过施加到所述电极的电压所产生的静电力可变形；以及通过蚀刻形成在所述电极和所述振动片之间的牺牲层的一部分而形成在所述多个分隔部件之间的空气间隙，其中所述分隔部件包括在所述蚀刻之后的所述牺牲层的剩余部分。
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