[发明专利]插头上电容器结构无效
| 申请号： | 03822236.1 | 申请日： | 2003-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN1682373A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | 格哈德·拜特尔;安德烈亚斯·希利格尔;文范起;尼古拉·纳格尔;土谷高道;矢吹本 | 申请（专利权）人： | 印芬龙科技股份有限公司;株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈瑞丰 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种插头上电容器(COP)结构。所述插头上电容器避免常规插头上电容器产生的台阶，这种台阶对于电容器性能产生不利的影响。按照一种实施例，通过提供具有上、下两部分的插头避免出现所述的台阶。与电容器的下电极耦合的上面部分具有与下电极实质上相同的表面面积。在插头与下电极之间提供阻挡层，以避免插头材料的氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 插头 电容器 结构 | ||
【主权项】：
1.一种插头上电容器结构，包括：电容器，它具有夹在第一和第二电极之间的介电层；和插头，它具有耦合到第一电极的导电的插头材料，所述插头包括上、下两部分，其中，所述上面部分的表面面积实质上等于第一电极的表面面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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