[发明专利]减少非钝化激光熔丝的飞溅有效
| 申请号： | 03822255.8 | 申请日： | 2003-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN1723552A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 杰拉尔德·R.·弗利斯;安迪·考利;莫哈梅德·F.·法亚兹;威廉·T.·莫特斯弗 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;英芬能技术北美公司 |
| 主分类号： | H01L21/71 | 分类号： | H01L21/71 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李春晖 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请涉及减少非钝化激光熔丝的飞溅。使用激光熔断非钝化电熔丝(例如熔丝405)会导致熔丝材料飞溅，从而导致电短路。在熔丝的被激光熔断的区域周围形成的爆炸阻挡体(例如爆炸阻挡体406)有助于约束熔丝材料的飞溅。爆炸阻挡体可以用与熔丝本身相同的材料形成，因而可以在同一制造步骤中形成。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 钝化 激光 飞溅 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一电接点焊盘；第二电接点焊盘；由导电材料制成的可熔断连接，该可熔断连接具有连接到第一电接点焊盘的第一端部和连接到第二电接点焊盘的第二端部，该可熔断连接要在施加一个能量源之后变为不导电的；以及水平地包围所述可熔断连接的爆炸阻挡体，用以容纳由于施加所述能量源而射出的可熔断连接材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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