[发明专利]具有减少基片上聚合物沉积部件的等离子体装置以及减少聚合物沉积的方法有效
| 申请号： | 03822266.3 | 申请日： | 2003-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1682343A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | J·东;E·H·伦兹 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王彦斌 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种可调的RF连接环，可以减小真空处理室中基片和热边缘环之间的垂直缝隙。缝隙的减小减少了聚合物在基片和静电吸盘上的沉积，改进了晶片的处理。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减少 基片上 聚合物 沉积 部件 等离子体 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，包括：处理室；电源，该电源可以将处理室内部的处理气体激发成等离子体状态，以便处理基片；基片支承件，该支承件将基片支承在处理室内部，该基片支承件具有上表面；围绕基片支承件的上部环，在基片配置在基片支承件上时，该上部环的一部分在基片的下面延伸；围绕基片支承件的连接环，该连接环具有可相对于一个第二环转动的一个第一环，从而可以调节连接环的高度，并调节该上部环和基片之间的缝隙。
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