[发明专利]铁电电容器及其制造方法无效
申请号: | 03822300.7 | 申请日: | 2003-01-17 |
公开(公告)号: | CN1682371A | 公开(公告)日: | 2005-10-12 |
发明(设计)人: | 仓泽正树 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄纶伟 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种铁电电容器,其包含:下部电极层、下部电极层上的铁电层以及铁电层上的上部电极层,其中在下部电极层上形成铁电体,使得铁电体具有主取向轴,并且,下部电极层具有多层结构,下部电极的这些层越接近铁电层,则铁电体的构成元素或由构成元素构成的化合物对下部电极的扩散系数越大。通过有机金属汽相沉积法形成铁电层,并且在形成该铁电层时加热衬底;使含有铁电层的构成元素中至少一种的有机金属原料通过,从而在下部电极上形成铁电层的同时,使下部电极的与铁电层相接的第一层的构成元素与铁电层的构成元素形成为合金或化合物。由此获得了结构形态良好并且铁电体具有主取向轴的铁电电容器。 | ||
搜索关键词: | 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种铁电电容器,其包含:下部电极层、下部电极层上的铁电层以及铁电层上的上部电极层,其中在下部电极层上形成铁电体,使得铁电体具有主取向轴,并且,下部电极层具有多层结构,下部电极的这些层越接近铁电层,则铁电体的构成元素或由构成元素构成的化合物对下部电极的扩散系数越大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的