[发明专利]对基片上薄膜区域作激光结晶处理以最小化边缘区域的过程和系统,及如此薄膜区域的结构

摘要

本发明提供处理薄膜样本(170)的处理和系统。更特别地，可以控制光束发生器(110)发射至少一个光束脉冲(111)。然后掩模所述光束脉冲(111)来产生至少一个经掩模的光束脉冲(164)，再用它来照射薄膜样本(170)的至少一个部分(510)。用至少一个经掩模的光束脉冲(164)以足够使这样的部分(510)结晶的强度照射薄膜样本(170)的部分(510)。允许薄膜样本(170)的此部分(510)结晶，它在结晶后由第一个区域(518)和第二个区域(515)组成。在结晶后，第一个区域(518)包括第一组晶粒，第二个区域(515)包括第二组晶粒，第一组晶粒的至少一个特性不同于第二组晶粒的至少一个特性。第一个区域(518)包围第二个区域(515)，并配置为允许在与其间隔一段距离处提供薄膜晶体管(TFT)(610)的活跃区域(618)。

主权项

1.一种处理薄膜样本的方法，其特征在于，所述方法包括步骤：(a)控制光束发生器发射至少一个光束脉冲；(b)用所述至少一个光束脉冲产生至少一个掩模的光束脉冲，使用所述至少一个掩模的光束脉冲来照射所述薄膜样本的至少一部分；及(c)用所述至少一个掩模的光束脉冲，以足够使所述至少一部分结晶的强度照射所述薄膜样本的所述至少一部分；及(d)允许所述薄膜样本的所述至少一部分结晶，所述结晶的至少一部分由第一个区域和第二个区域组成，其中，在结晶后，所述第一个区域包括第一组晶粒，所述第二个区域包括第二组晶粒，所述第一组晶粒的至少一个特性不同于所述第二组晶粒的至少一个特性；其中所述第一个区域包围所述第二个区域，且配置为在距其一定距离处提供电子设备的活跃区域。