[发明专利]半导体集成电路有效
申请号: | 03822570.0 | 申请日: | 2003-03-06 |
公开(公告)号: | CN1685612A | 公开(公告)日: | 2005-10-19 |
发明(设计)人: | 柿内隆 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H03K19/00 | 分类号: | H03K19/00;H01L27/04;H01L27/092 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 半导体集成电路。高阈值的第一导电晶体管和低阈值的第二导电晶体管串联在提供电源电压的第一实际电源线和与由低阈值的晶体管组成的电路块的电源引脚相连接的虚拟电源线之间。该第一和第二导电晶体管的极性彼此相反。电源控制电路在电路块工作时导通第一和第二导电晶体管,并在电路块不工作时截止第一和第二导电晶体管。因为低阈值的第二导电晶体管串联连接到高阈值的第一导电晶体管上,所以可使第一和第二导电晶体管的通态电阻的增加最小,并且可增加其断态电阻。因此可抑制第一和第二导电晶体管的阈下电流。凭借这一点,可减少半导体集成电路在待机期间内的功率消耗。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】:
1.一种半导体集成电路,包括:电路块,由具有低阈值的晶体管构成;第一实际电源线,用于提供电源电压;虚拟电源线,连接到所述电路块的电源引脚;具有高阈值的第一导电晶体管和极性与所述第一导电晶体管相反的具有低阈值的第二导电晶体管,所述第一导电晶体管和所述第二导电晶体管串联在所述第一实际电源线和所述虚拟电源线之间;和电源控制电路,在所述电路块工作时导通所述第一导电晶体管和所述第二导电晶体管,并且在所述电路块不工作时截止所述第一导电晶体管和所述第二导电晶体管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社,未经富士通株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03822570.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高压真空灭弧室触头材料及其制备方法
- 下一篇:在衰落信道上扩频的方法和系统