[发明专利]DRAM感测放大器的偏置感测有效
| 申请号： | 03822633.2 | 申请日： | 2003-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN1685438A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 戴维·J.·麦克艾洛伊;斯蒂芬·L.·卡斯伯 | 申请（专利权）人： | 微米技术公司 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C11/4094;G11C7/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建忠 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在DRAM器件内设置电压耦合/去耦合器件，以改善感测放大器的偏置感测，并因此而改善刷新性能。电压耦合/去耦合器件使偏置电压耦合到与感测放大器相连的相应数字线，或者从与感测放大器相连的相应数字线去耦合电压。通过使电压耦合到数字线或者从数字线去耦合电压，可以增加刷新操作之间的时间间隔。 | ||
| 搜索关键词： | dram 放大器 偏置 | ||
【主权项】：
1、一种具有多个数字线和多个感测放大器的动态随机存取存储器(DRAM)，所述感测放大器分别耦合到一对相邻所述数字线，所述一对相邻数字线分别包括第一数字线和第二数字线，所述DRAM包括：第一电压耦合/去耦合器件，具有连接到所述第一数字线的输出端；第二电压耦合/去耦合器件，具有连接到所述第二数字线的输出端，其中：所述第一电压耦合器件使第一电压电容连接到所述第一数字线；以及所述第二电压耦合器件从所述第二数字线去耦合第二电压。
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