[发明专利]光电二极管阵列及其制造方法

摘要

光电二极管阵列的特征在于，具有：在光入射面侧矩阵状形成pn结型多个光电二极管的、入射面的相反面由(100)面构成的半导体基板；在由光电二极管彼此所夹着的区域形成的、从半导体基板的入射面侧贯通到相反面侧的贯通孔；从入射面开始通过贯通孔的壁面到相反面连接的导电体层，贯通孔通过将在入射面侧相对入射面大致垂直地形成的垂直孔部和在相反面侧形成的四角锥形的孔部，在半导体基板内部连接而形成，四角锥形的孔部的壁面形成为(111)面。

主权项

1.一种光电二极管阵列，具有在第一导电型基板的被检测光的入射面侧矩阵状形成pn结型多个光电二极管的、所述入射面的相反面由(100)面构成的半导体基板，所述半导体基板，具有在所述光电二极管彼此所夹的区域所形成的、从所述半导体基板的所述入射面侧贯通到所述相反面侧的贯通孔，其特征在于，具有从所述入射面通过所述贯通孔的壁面到所述相反面连通的导电体层，所述贯通孔具有：在所述入射面侧相对所述入射面大致垂直地形成的垂直孔部、在所述相反面侧形成的四角锥形的锥形孔部，所述垂直孔部和所述锥形孔部在所述半导体基板内部连接，所述锥形孔部的壁面形成为(111)面。