[发明专利]热处理装置有效
| 申请号： | 03822715.0 | 申请日： | 2003-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1685477A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 斋藤孝规;山贺健一;中尾贤 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是备有在上端具有开口部的加热炉本体、由收容在上述加热炉本体内部的单一的管子构成的反应管、在上述反应管上部窄径状地形成的排气部件连接部、收容在上述加热炉本体内部，用于支持被处理基板的被处理基板支持部件、和用于加热由上述被处理基板支持部件支持的被处理基板的加热部件的热处理装置。上述加热部件具有配置在上述反应管周围的第1加热部、配置在上述排气部件连接部周围的第2加热部、配置在上述反应管上方部周围的第3加热部、配置在上述反应管下方部周围的第4加热部、和配置在上述被处理基板支持部件下部的第5加热部。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种热处理装置，其特征在于，包括：在上端具有开口部的加热炉本体；由收容在所述加热炉本体内部的单一的管子构成的反应管；在所述反应管上部窄径状地形成的排气部件连接部；收容在所述加热炉本体内部，用于支持被处理基板的被处理基板支持部件；和用于加热由所述被处理基板支持部件支持的被处理基板的加热部件，所述加热部件具有：配置在所述反应管周围的第1加热部；配置在所述排气部件连接部周围的第2加热部；配置在所述反应管上方部周围的第3加热部；配置在所述反应管下方部周围的第4加热部；和配置在所述被处理基板支持部件下部的第5加热部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03822715.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
