[发明专利]在已经移去薄层之后对包括缓冲层的晶片的再循环有效
| 申请号： | 03822785.1 | 申请日： | 2003-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN1685496A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | B·吉瑟伦;C·奥涅特;B·奥斯特诺德;Y－M·勒瓦扬;T·赤津 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 提供一种在移去至少一个有用层之后再循环施主晶片(10)的方法，该施主晶片(10)依次包括衬底(1)、缓冲结构(I)和移去之前的有用层。该方法包括在进行移去操作的一侧上除去涉及施主晶片(10)的一部分的物质，从而在除去物质之后，保留至少一部分缓冲结构(I)，它能在后来的有用层移去操作期间被再用作至少一部分缓冲结构(I)。本发明还涉及：一种制造能根据本发明被再循环的施主晶片(10)的方法；从可以根据本发明再循环的施主晶片(10)移去薄层的方法；能根据本发明被再循环的施主晶片(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 已经 移去 薄层 之后 包括 缓冲 晶片 再循环 | ||
【主权项】：
1、一种在已经移去至少一个有用层之后再循环施主晶片(10)的方法，其中所述有用层的材料由选自半导体材料的材料，该施主晶片(10)依次包括衬底(1)、缓冲结构(I)和移去之前的有用层，该方法包括在进行所述移去操作的所述施主晶片(10)的一侧上除去物质，其特征在于：除去物质之后，至少一部分缓冲结构(I)保留下来，然后这个至少一部分缓冲结构(I’)被再用作后来有用层移去操作的缓冲结构(I)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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