[发明专利]采用微机电系统技术的中空微探头及其制造方法

摘要

本发明涉及采用MEMS技术的中空微探头和中空微探头的制造方法。根据本发明采用MEMS技术生产中空微探头的方法包括：在衬底上形成保护膜图案的步骤；使用保护膜图案作为掩膜在衬底上形成通孔的步骤；在具有通孔的衬底的保护膜图案上部和通孔内壁上形成种子层的步骤；移除保护膜和衬底上部的种子层而仅在通孔内表面保留种子层的步骤；通过电镀方法在衬底的通孔内形成埋入式导体的步骤；整平具有埋入式导体的衬底上表面的步骤；在上表面平整化的衬底上形成基导电膜的步骤；在具有基导电膜的衬底上形成具有向下倾斜的倾斜表面的第一尖端支撑体的步骤；圆整第一尖端支撑体的上表面的步骤；形成第二尖端支撑体的步骤；在第一尖端支撑体外表面上形成第二尖端支撑体，以打开第一尖端支撑体的上表面的步骤；在第二尖端支撑体外表面形成导电材料尖端的步骤；以预定深度移除打开的第一尖端支撑体上表面的步骤。

主权项

1.一种利用MEMS技术制造中空微探头的方法，包括在衬底10中形成通孔14的步骤；在通孔14中形成埋入式导体18的步骤；整平具有埋入式导体18的衬底10的表面的步骤；在衬底10上形成基导电膜20的步骤；在具有基导电膜20的衬底10上形成具有向下倾斜的倾斜表面的第一尖端支撑体22的步骤；通过腐蚀第一尖端支撑体22上表面的角状部分来圆整第一尖端支撑体22上表面的步骤；在第一尖端支撑体22外表面上形成第二尖端支撑体24，以使第一尖端支撑体22上表面打开的步骤；在第二尖端支撑体24的外表面上形成尖端26的步骤；和以预定深度移除由第二尖端支撑体打开的第一尖端支撑体22的一部分上表面和尖端的步骤。