[发明专利]CPP结构的磁阻效应设备和磁头滑块无效
| 申请号： | 03822880.7 | 申请日： | 2003-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1685536A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 大岛弘敬 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G01R33/09;G11B5/39;H01F10/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蒋旭荣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种CPP结构的磁阻效应设备(35)，其中沿着磁阻薄膜(44)前部边缘横过磁阻薄膜(44)的第一区域(45a)在磁区控制薄膜(45)上形成，具有第一磁场强度的第一偏磁场在第一区域(45a)建立，沿着磁阻薄膜(44)后部边缘横过磁阻薄膜(44)的第二磁场强度的第二区域(45b)形成，具有第二磁场强度的第二偏磁场在第二区域(45b)建立，该第二磁场强度大于第一磁场强度，并且第二区域(45b)的厚度大于第一区域(45a)的厚度，以便建立第一和第二磁场强度。在这样一种CPP结构磁阻效应设备(35)中，具有大电流值的感测电流可以流过磁阻效应薄膜(44)。进一步，可以确保磁阻效应薄膜(44)的足够高的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | cpp 结构 磁阻 效应 设备 磁头 | ||
【主权项】：
1.一种电流垂直平面结构的磁阻元件，其包括：一个从暴露在相对介质的表面处的前端向后延伸的磁阻薄膜；和分别从暴露在相对介质的表面上的前端向后延伸的磁区控制薄膜，所述磁阻薄膜置于磁区控制薄膜之间，其中所述磁区控制薄膜分别包括：设计用于建立第一强度的第一偏磁场的第一区域，该第一强度的第一偏磁场沿着磁阻薄膜的前端穿过该磁阻薄膜；和设计用于建立第二强度的第二偏磁场的第二区域，该大于第一强度的第二强度的第二偏磁场沿着磁阻薄膜的后端穿过该磁阻薄膜。
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