[发明专利]识别MRAM中的脆弱比特的方法和电路

摘要

测试具有至少两个电阻状态的存储器(10、60)。在一种方式中，该存储器包括具有连接到存储单元(14、64)的电流电极的第一晶体管(16、68)和具有连接到参考存储单元(28、74)的电流电极的第二晶体管(26、66)。第一晶体管的控制电极根据测试控制信号接收第一参考电压或者第二参考电压。第二晶体管的控制电极接收第一参考电压。在测试模式下，在用一个电阻状态对存储单元编程后，将第二参考电压(不同于第一参考电压)提供给第一晶体管。然后读所述存储单元以判断存储器是否读出了前面所编程的电阻状态。在一种实施例中，该测试模式可以用来识别存储器中的脆弱比特。

主权项

1.一种具有至少两种电阻状态的存储器，包括：存储单元；第一参考存储单元；参考电压选择电路，其具有接收第一参考电压的第一输入、接收第二参考电压的第二输入以及接收控制信号的第三输入，以及根据所述控制信号提供所述第一参考电压或者第二参考电压之一的输出；第一导电类型的第一晶体管，其具有连接到所述存储单元的第一电流电极，第二电流电极，以及连接到所述参考电压选择电路的输出、用以接收所述第一参考电压或者第二参考电压之一的控制电极；第二导电类型的第二晶体管，其具有连接到所述第一晶体管的第二电流电极的第一电流电极，连接到第一电压端子的第二电流电极，以及控制电极；第一导电类型的第三晶体管，其具有连接到所述第一参考存储单元的第一电流电极，连接为接收所述第一参考电压的控制电极，以及第二电流电极；以及第二导电类型的第四晶体管，其具有连接到所述第三晶体管的第二电流电极的第一电流电极，连接到第四晶体管的第一电流电极和第二晶体管的控制电极的控制电极，以及连接到所述第一电压端子的第二电流电极。