[发明专利]具两控制区的集成场效应晶体管及制造方法有效
| 申请号： | 03823107.7 | 申请日： | 2003-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN1685522A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | R·卡克索斯奇克 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;梁永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明特别说明了一种利用SOI技术与自对准金属硅化处理技术所制造的场效应晶体管(10)，其即所谓的双栅极晶体管(10)；该晶体管(10)适合用于切换高于5伏特或甚至高于9伏特之电压，且仅需要非常小的芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 控制区 集成 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成场效应晶体管(10)，具有由下述区域所包围的一基板区域(14)：两终端区域(16，18)，两电绝缘绝缘层(100，102)，排列于该基板区域(14)彼此相对的侧面，并紧邻控制区域(20，22)，至少一电绝缘区域(12，110)，以及一电传导连接区域(28)、或是一终端区域(16)与该基板区域(14)间的一电传导连接区域的一部份(230)。
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